11月14日，上海，氮化鎵（GaN）功率芯片的行業領導者納微半導體（Navitas Semiconductor）宣布推出新一代采用GaNSense技術的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。
據悉，納微半導體成立于2014年，是氮化鎵功率芯片的行業領導者。氮化鎵功率芯片將氮化鎵電源與驅動、控制和保護集成在一起，為移動設備、消費產品、企業、電動汽車和新能源市場提供充電更快、功率密度更高和節能效果更好的產品。
氮化鎵（GaN）是下一代半導體材料，器件的開關速度比傳統的硅器件快20倍，在尺寸和重量減半的情況下，可實現高達3倍的功率和3倍的充電速度。與前幾代產品相比，GaNSense技術可額外提高10%的節能效果，集成了智能待機降低功耗功能，在氮化鎵功率芯片處于空閑模式時，自動降低待機功耗，有助于進一步降低功耗，這對越來越多積極追求環保的客戶來說尤為重要。
那么未來納微半導體的氮化鎵器件主要的應用領域是什么？
納微半導體銷售營運總監李銘釗Edwin表示，納微跟傳統的氮化鎵廠商不太一樣，消費類依然是最大的市場，在納微未來5年的計劃中，服務器是第二步，第三步工業類，第四步是汽車類。
據了解，智能手機和筆記本電腦的快充充電器，估算每年有20億美元的氮化鎵市場機會，包括一體機、電視、家庭網絡和自動化設備。GaNSense技術已被用于部分一線消費電子品牌的氮化鎵充電器上。
到目前為止，已經有超過3000萬顆納微GaNFast氮化鎵功率芯片出貨，在現場測試實現了超過1160億個設備小時，并且沒有任何關于GaN現場故障的報告。
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