國際半導體遭遇寒冬 中國存儲方隊逆勢擴張

證券時報記者阮潤生

在中美貿易摩擦有所緩和之際，日前紫光集團宣布組建DRAM集團，讓市場注意力集中到國內存儲器布局上。當前國際存儲寡頭壟斷的格局下，國內存儲方隊既要面對技術、團隊等方面的疊代差距，又要面對當前國際半導體市場勢弱，存儲大幅降價的風險，迎難而上，逆勢擴張。

國際半導體產業降溫

6月30日晚間，紫光集團宣布了組建DRAM事業群的計劃，并配套部署人事安排，深化和完善紫光集團“從芯到云”產業鏈的建設。而如果放眼國際，此時紫光集團布局DRAM可謂迎難而上，逆勢擴張。

據美國半導體行業協會官網最新統計，5月全球半導體銷售額為331億美元，同比2018年同期減少14.6%，環比4月有所少量增長；而且相比去年同期，全球所有區域市場的半導體銷售均出現下降，其中美洲下降最多，達到27.9%，日本下降13.6%，中國下降9.8%，亞太其他地區下降12.6%。

美國半導體行業協會總裁兼首席執行官約翰·諾伊弗表示：“全球半導體銷售額今年5月沒有達到去年同月的銷售額，這是連續第五個月出現同比負增長。”今年存儲器可謂遭遇“寒冬”。其中DRAM（動態隨機存取存儲器）雖然位居半導體存儲領域市占率第一的地位，2017年迎來銷售環比大增，但今年情況發生逆轉。

TrendForce旗下內存儲存研究已連續指出，受到美國禁用華為事件持續發酵，華為智能型手機以及服務器產品在未來的兩至三個季度可能將持續遭受嚴重的出貨阻礙，下半年DRAM產品的旺季需求將遭受沖擊，行業見底時間或延長。

據預測，第三季DRAM價格展望跌幅由原先預估的10%將擴大至10%到15%。考慮國際存儲三家大廠的競爭態勢，加上DRAM制程技術已經面臨物理極限，預估DRAM價格要跌破供貨商的生產總成本可能性極低，但是，中美貿易戰升溫恐使得今年下半年需求急凍，不確定性氛圍提高使得數據中心的資本支出放緩，在今年年底前，體質較弱的DRAM供貨商恐怕將遭受庫存損失，財務報表可能轉虧；預計DRAM價格可能將到2020年有機會出現止跌回升。

國際存儲巨頭的情況也不容樂觀，雖然占據了全球90%以上的DRAM市場份額，但營收普遍下滑。據統計，今年一季度，龍頭公司三星受到報價下跌影響，營收較上季下滑26.3%；而SK海力士的營收位出貨下滑約8%，第一季營收較上季衰退31.7%；美光營收也下滑了約三成。臺系廠商也不容樂觀。南亞科第一季營收位出貨下跌超過20%，營業利益率幾乎減半；力晶科技生產的標準型DRAM產品第一季出貨量上升，帶動營收逆勢成長5.7%，涵蓋DRAM代工業務，營收則下滑近15%。

國內企業逆勢擴展

國金證券分析師樊志遠在研報中指出，今年一季度后，存儲器大廠處于高成本庫存，導致二季度、三季度運營成本高于市場預期；預計全球存儲器行業今年衰退30%～35%，牽動全球半導體衰退14%。

在此背景下，國內主要存儲方隊選擇了逆勢布局。本次紫光集團組建的DRAM事業部，紫光集團表示這標志著集團DRAM戰略正式起航，將進一步拓寬在存儲器領域的相關布局。人事配備上，委任刁石京為紫光集團DRAM事業群董事長，高啟全擔任紫光集團DRAM事業群CEO。其中，刁石京曾擔任工信部電子信息司司長等職位；高啟全現擔任紫光集團全球執行副總裁、長江存儲執行董事及代行董事長、武漢新芯CEO，有“臺灣存儲教父”之稱。

經過多年的發展，紫光集團在存儲器的設計制造領域已形成一定基礎，積累了從設計、生產、測試、方案構建到全球量產銷售等研發和產業化經驗。在DRAM領域，紫光旗下西安紫光國芯自主創新出全球首系列內嵌自檢測修復DRAM存儲器產品；開發的存儲器芯片產品中有二十余款產品實現全球量產和銷售。

另外，在3DNAND閃存領域，紫光旗下長江存儲成功研發并已小批量生產了32層3DNAND閃存芯片，其創新的XtackingTM技術，實現了3DNAND閃存芯片結構的歷史性突破。紫光集團表示，基于西安紫光國芯和長江存儲的成功經驗，集團正探索出一條存儲器設計制造的產業發展之路。

芯謀研究首席分析師顧文軍指出，相對而言，DRAM更加成熟、高度集中和更加“標準”的產業特性，做DRAM的難度要遠超NANDFlash。任何新進入者都面臨著技術來源、團隊、專業化運營和成本的幾大難題。目前來看，中國大陸做DRAM的幾家都沒有全面解決上述問題；晉華去年的被禁，就是一個警示。

國內存儲產業原為三大陣營，分別是紫光集團旗下長江存儲，以及合肥長鑫與晉華集成。但是去年10月美國商務部以國家安全為由，對晉華集成實施出口管制，并列入出口管制“實體清單”。

由兆易創新、合肥產投等投資的長鑫存儲，目前來看進展相對順利，預期最快將于今年底或明年初進入量產。據報道，長鑫存儲通過購買奇夢達專利部分解決了知識產權問題。

對于如何避免類似晉華事件發生，集邦咨詢研究副總經理郭祚榮向證券時報記者表示，只要保證技術來源沒問題，列入實體列表機率就低了；而無論是NAND還是DRAM，發展難度都不低，本輪逆勢擴張取決于國家是否支持。

集邦咨詢指出，紫光并非首次計劃進軍DRAM產業，早在2014年期間紫光就曾表達出研發DRAM的決心，但當時為了平衡產業與地方發展，確立紫光發展NANDFlash的路線，DRAM研發之路無疾而終。

此次紫光集團重返DRAM研發之路，除了晉華事件影響外，還有產業布局考慮。合肥長鑫5月在上海參加全球半導體聯盟存儲器論壇時，預計今年底量產8Gb的DRAM產品，但僅有一家正在進行的DRAM廠對中國自主開發DRAM產品的目標是不夠的。目前紫光欠缺的是DRAM的制程技術，這部分預計可望借由其新任CEO的業界人脈進行補強。

國產化機遇

從政策方面，國家對集成電路產業的重視可見一斑。6月14日晚間，證監會同意科創板IPO注冊，華興源創、睿創微納兩家集成電路企業拔頭籌；另外，科創板申請企業中，還有專注于企業級光存儲解決方案的紫晶存儲，目前在接受科創板第三輪問詢。

5月份，財政部、稅務總局發布公告有關企業所得稅政策中，集成電路企業獲扶持。

資本市場也在孕育半導體國產化機遇。以太極實業(600667)為例，2018年6月傳聞落地，國家集成電路產業基金（以下簡稱“大基金”）受讓控股股東6.17%股份，成為上市公司第二大股東。此后，太極實業屢次攬獲半導體工程承包訂單，包括“中國大陸半導體之父”張汝京所創辦的青島芯恩工程總承包訂單。

除了建造，半導體關鍵材料、設備也存在機遇。據介紹，目前各類關鍵工藝設備國產化差異大，CMP、PVD、刻蝕、清洗設備、熱處理的國產化率處于10%～30%，而量測、光刻等設備全部依賴進口。

郭祚榮向記者表示，隨著紫光進一步加碼存儲產業，對半導體設備國產化將會產生助益，關鍵在于國產設備能否滿足相關條件。

國泰君安研報指出，長江存儲是目前對于國產設備最為友好的產線之一。2017年至2018年，長江存儲共采購了17批共計約2000臺設備。其中，中微公司供應刻蝕設備，盛美半導體和北方華創等提供清洗設備等。后續隨著產能爬坡，北方華創、中微公司等設備廠商有望加速實現供應。